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『日経エレクトロニクス』の2012年4月号で「すべての機器にTSV」という掲載があったのを覚えている方もいると思われる。当時はまだSi貫通配線TSV（Through-Silicon Via）1）のR&Dが盛んであり，米国Xilinx社の大きなFPGA（Field Programmable Gate Array）チップを分割し，台湾TSMC社がTSVを有するSiインターポーザ（チップ間を接続する中継配線基板）に載せて実装する方式が量産されたぐらいであった。アクティブなデバイスが無い両面微細配線とTSVだけのSiインターポーザは比較的市場投入されやすかったと推測する。それでも当初の歩留りは高くはなく，2015年のECTCでその歩留りの解析結果がTSMCから発表されている2）。後述するように，今では多くのデバイスでTSVが使われるようになってきた。TSVを利用する最大の利点は，低密度のワイヤ・ボンディングや多層配線上層の長いグローバル配線を劇的に短縮でき，人間の脳のような超並列処理に適した積層構造にある。今で言うチップレットの考え方に近い機能ブロックを分割する概念で提案された3D-ICは，ムーアの法則による...
Online ISSN : 2435-2292
Print ISSN : 0375-9253
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