KV Slide 1 KV Slide 1
KV Slide 2 KV Slide 2
KV Slide 3 KV Slide 3
2019年度以前の記事は
電子図書館をご覧ください

※ 検索ワードを区切るスペースは半角でお願いします。

2023 Vol.87 No.1 小特集

前の記事へ

小特集 3D-IC/TSVの最新動向と自己組織化による三次元実装/ヘテロ集積

小特集 次世代半導体実装を担う「ファンアウト技術」の工法最適化に向けた最新キャリア技術

次の記事へ

小特集

次世代半導体の展望 ~原理と生産技術~
ウエハの洗浄と乾燥の過去・現在・未来 ~次世代半導体実現への挑戦~

 次世代半導体の実現への挑戦は,表面への挑戦とも言える。半導体トランジスターの微細化を予言した物理学者Feynmanは,表面に起因した課題が増えていくことも予言し1),今,その通りになっている。表面とは,半導体Si(silicon),SiO2(silicon dioxide)などの絶縁膜,Cuなどの金属膜,あるいは,洗浄対象であるパーティクルなどの異物表面のほか,洗浄液とSiの界面や,微細パターンの隙間に形成されたメニスカスなどを指す。半導体の微細化や使用される材料の変更によって研究対象となる表面は増え,洗浄技術はそれらと向き合うことで磨かれてきた。本稿では,洗浄で代表的なパーティクル除去と,洗浄後のウエハを清浄なまま乾かす乾燥について,それらのルーツや課題を概説すると共に,次世代半導体向けの最新技術を紹介する。

...
田中 孝佳
Image

田中 孝佳

Past, Present and Future of Wafer Cleaning and Drying-Challenges for Next-Generation Semiconductor-

Tim TANAKA(正会員)

  • 2005年 同志社大学大学院工学研究科工業化学専攻

  • (株)SCREENセミコンダクターソリューションズ 洗浄開発統括部 洗浄技術開発部 洗浄技術開発一課 准専門職

前の記事へ

小特集 3D-IC/TSVの最新動向と自己組織化による三次元実装/ヘテロ集積

小特集 次世代半導体実装を担う「ファンアウト技術」の工法最適化に向けた最新キャリア技術

次の記事へ

Online ISSN : 2435-2292

Print ISSN : 0375-9253

image

PDFを閲覧するにはAdobe Readerが必要です。

お気に入りから削除しますか?

はい